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Wafers And Substrates

Chine Wafers And Substrates

Substrats de GaN

Matériel:GaN

Type:GaN-FS-10, GaN-FS-15

Orientation:Axe C (0001) ± 0,5 °
Gadolinium Gallium Garnet GGG Waffles et substrats

matériel:Monocristal de grenat de gadolinium et de gallium (GGG)

méthode de croissance:Méthode Czochralski

Point de fusion （℃）:1800℃

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À propos

Laser Crystals: Yttrium Orthovanadate 35mm Birefringent YVO4 Laser Crystal; Cristaux magnéto-optiques de laser de Tb3Ga5O12 Faraday TGG; Cristaux de laser de NdYAG de chanfrein de la structure cubique 0.1mm

Hermetic High Power Laser Package: COS Mounting 2pin Hermetic High Power Laser Package; Dissipation de chaleur Sans oxygène Trousse de papillon haute puissance; 2 Pin Laser Diode Hermetic High Power Laser Package

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