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Matériel:GaN
Type:GaN-FS-10, GaN-FS-15
Orientation:Axe C (0001) ± 0,5 °
matériel:Monocristal de grenat de gadolinium et de gallium (GGG)
méthode de croissance:Méthode Czochralski
Point de fusion (℃):1800℃