|
Détails sur le produit:
|
| Matériel: | GaN | Type: | GaN-FS-10, GaN-FS-15 |
|---|---|---|---|
| Orientation: | Axe C (0001) ± 0,5 ° | TTV: | ≤15 µm |
| Arc: | ≤20 µm | Concentration de transporteur: | > 5x1017 / cm3 |
| Épaisseur typique (mm): | Type N, semi-isolant | Résistivité (@ 300K): | <0,5 Ω • cm,> 106 Ω • cm |
| Surface utilisable: | > 90% |
Avec un large espace de bande direct ((3.4 eV), de fortes liaisons atomiques, une haute conductivité thermique et une excellente résistance aux rayonnements, le GaN n'est pas seulement un matériau optoélectronique à courte longueur d'onde,mais aussi un matériau de remplacement pour les appareils semi-conducteurs haute températureEn raison de ses propriétés physiques et chimiques stables, le GaN convient aux applications LED (bleu, vert, UV), aux détecteurs ultraviolets et aux appareils optoélectroniques à haute puissance et à haute fréquence.
| Spécification | ||
| Le type | GaN-FS-10 | GaN-FS-15 |
| Taille | 10.0 mm × 10,5 mm | 14.0 mm × 15,0 mm |
| Épaisseur |
Le rang 300, le rang 350, Le rang 400 |
une largeur de 300 ± 25 μm, 350 ± 25 μm, 400 ± 25 μm |
| Les orientations | Pour les véhicules à moteur électrique, la valeur de l'indicateur de freinage doit être supérieure ou égale à: | |
| TTV | ≤ 15 μm | |
| - Je vous en prie. | ≤ 20 μm | |
| Concentration du transporteur | > 5x1017/cm3 | / |
| Type de conduction | Type N | Semi-isolant |
| Résistance ((@ 300K) | < 0,5 Ω•cm | > 106Pour les produits de base |
| Densité de dislocation | Moins de 5x106en cm- Deux. | |
| Surface utilisable | > 90% | |
| Polissage |
Surface frontale: Ra < 0,2 nm. Polissée pour l'épinectomie Surface arrière: sol fin |
|
| Le paquet | Emballé dans un environnement de salle blanche de classe 100, dans des récipients à plaquettes simples, dans une atmosphère d'azote. | |
Personne à contacter: JACK HAN
Téléphone: 86-18655618388
